公募情報

対象分野
対象課題

〔2〕先端半導体製造技術の開発（助成）
　　（e）次世代メモリ技術開発
　　　（e3）エッジ向けAIメモリ設計・製造技術開発【GX】

＜開発対象＞
・エッジ向けAI メモリの設計及び製造技術
＜開発目標＞ ※なお、比較対象はいずれも本プロジェクト提案時点の最新製品
・コンピューティングの省エネ化、エッジ領域でのAI 計算を実施するために、以下の性能要件を満たすことが出来る技術開発を実施すること。
・以下の性能を実現するとともに、一般的なメモリに求められる信頼性要件を満たすこと。
　　- メモリ密度：0.75Gbit/mm2 以上
　　- メモリ用CMOS の遅延時間短縮：35%以上

・エッジ領域では用途が多岐にわたり、PC やエッジサーバーなど、比較的サイズに余裕があり性能を重視する用途や、モバイルなどサイズ制約があり熱的な制約がある用途なども想定される。
そこで、主に以下二つのケースを想定して、上記メモリを用いて、それぞれに適したメモリの設計・製造技術の開発を実施する。

（１）エッジ端末において最大ピーク時の帯域を重視するメモリ
(ア)プロセッサ－メモリ間のデータ転送時のエネルギー効率（pJ/bit）を15 倍以上改善
(イ)メモリのエネルギー効率（pJ/Byte）が同等以上改善
(ウ)ピーク時の帯域が500GB/s 以上

（２）エッジ端末において常時の帯域を重視するメモリ
(ア)プロセッサ－メモリ間のデータ転送時のエネルギー効率（pJ/bit）が同等以上改善
(イ)メモリのエネルギー効率（pJ/Byte）を40%改善
(ウ)高温時（85℃程度）を含む動作時の帯域が200GB/s 以上

助成金額

提案1 件当たりの初回ステージゲート審査までの提案時助成費は、原則として360 億円以下とする。（うち、NEDO 負担率：1/2）

助成期間

2025 年度～研究開発開始時点から原則5 年（60 か月）以内とし、当初交付決定する期間は36 か月（※後述するステージゲート審査後の調整期間として6 か月を加えたもの）以内とします

URL

https://www.nedo.go.jp/koubo/IT2_100345.html

学内締切

2025年03月10日※提案書を担当までご提出ください。準備中の場合はご相談ください。

提出期限

2025年03月24日 12時00分

問合せ先

<研究推進課>（文京・敦賀）
　　研究企画管理・知的財産担当（研究協力）
　　0776-27-8880（内線：文京2057、2943）
　　rp-kenkyo@ml.u-fukui.ac.jp
＜松岡キャンパス研究推進課＞（松岡）
　　研究企画管理担当
　　0776-61-8189（内線：松岡2028）
　　m-kenkyu@ml.u-fukui.ac.jp

問合せメール

rp-kenkyo@ml.u-fukui.ac.jp