公募情報
省庁関連国立研究開発法人科学技術振興機構（JST）令和 7 年度 次世代エッジ AI 半導体研究開発事業
- 対象分野
対象課題 - テーマ① 高効率自動設計による次世代 AI 回路・システム
テーマ② 3D 集積技術
テーマ③ 次世代トランジスタ技術
- 助成金額
- ※応募要件に記載します。
- 助成期間
- 研究開発開始時点から原則５年間（60 カ月間）以内
- 応募要件
- テーマ① 20 億円/課題
テーマ② 30 億円/課題
テーマ③ 90 億円/課題
- 学内締切
- 2025年08月19日※提案書を担当までご提出ください。準備中の場合はご相談ください。
- 提出期限
- 2025年09月02日 12時00分
- 問合せ先
- <研究推進課>（文京・敦賀）
研究企画管理・知的財産担当（研究協力）
0776-27-8880（内線：文京2057、2943）
rp-kenkyo@ml.u-fukui.ac.jp
＜松岡キャンパス研究推進課＞（松岡）
研究企画管理担当
0776-61-8189（内線：松岡2028）
m-kenkyu@ml.u-fukui.ac.jp
- 問合せメール
- rp-kenkyo@ml.u-fukui.ac.jp