公募情報

対象分野
対象課題

テーマ① GaN パワーデバイス作り込み技術
テーマ② GaN パワエレシステムトータルとしての実証

公募概要

本事業では、これまで文部科学省が研究開発を進めてきた窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスを産業へ橋渡すために残るボトルネックの解消と、GaNパワーデバイスを用いたパワエレ技術の速やかな社会実装を目指したGaNパワエレシステムトータルとしての実証の2点に焦点を当てた研究開発を実施します。具体的には、前者については重要な半導体プロセス技術であるイオン注入技術のGaNへの適用技術を完成させるとともに、同技術を応用した超低損失なデバイス構造等の作り込み技術の確立を目指します。後者については、AI・数理分野の知見・技術も取り入れつつ、研究者がチームを組んでGaNパワーデバイスの特性を引き出す回路・受動素子等を開発するとともに、GaNパワーデバイスを用いたパワエレシステムの試作・検証を行います。

また、本公募は、令和8年度政府予算の成立を前提とするものであり、予算の成立状況によっては事業内容や事業予算を変更する場合があります。

助成金額

※応募要件に記載します。

助成期間

原則として 2026 年度（令和８年度）～2032 年度（令和 14 年度）までの７年間

応募要件

① GaN パワーデバイス作り込み技術」：上限 480 百万円（税込）
② GaN パワエレシステムトータルとしての実証」：上限 150 百万円（税込、サブテーマ当たり）

URL

https://www.mext.go.jp/b_menu/boshu/detail/mext_00516.html

学内締切

2026年04月02日※提案書を担当までご提出ください。準備中の場合はご相談ください。

提出期限

2026年04月16日 12時00分

問合せ先

<研究推進課>（文京・敦賀）
　　研究企画管理・知的財産担当（研究協力）
　　0776-27-8880（内線：文京2057、2943）
　　rp-kenkyo@ml.u-fukui.ac.jp
＜松岡キャンパス研究推進課＞（松岡）
　　研究企画管理担当
　　0776-61-8189（内線：松岡2028）
　　m-kenkyu@ml.u-fukui.ac.jp

問合せメール

rp-kenkyo@ml.u-fukui.ac.jp