公募情報
- No：745
- 掲載日：2023年12月18日
- 最終更新日：2023年12月21日(木) 10時11分
- [間接経費：※公募要領をご確認下さい]
省庁関連国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）「経済安全保障重要技術育成プログラム／高出力・高効率なパワーデバイス／高周波デバイス向け材料技術開発」に係る公募（本公募）
- 対象分野
対象課題 - （1）β-Ga2O3ウエハ、パワーデバイス及びパワーモジュールの開発
（2）GaN-on-GaNウエハ及び高周波デバイスの開発
- 助成金額
- ※各々5年間総額（1）45億円以下程度（2）35億円以下程度
- 助成期間
- 2024年度～2028年度（5年間）
- 学内締切
- 2024年01月12日※提案書を担当までご提出ください。準備中の場合はご相談ください。
- 提出期限
- 2024年01月26日 12時00分Webおよびe-Rad
- 問合せ先
- <研究推進課>（文京・敦賀）
研究企画管理・知的財産担当（研究協力）
0776-27-8880（内線：文京2057、2943）
rp-kenkyo@ml.u-fukui.ac.jp
＜松岡キャンパス研究推進課＞（松岡）
研究企画管理担当
0776-61-8189（内線：松岡2028）
m-kenkyu@ml.u-fukui.ac.jp
- 問合せメール
- rp-kenkyo@ml.u-fukui.ac.jp